這幾年智能概念拼的火熱，隨之技術革新?lián)Q代更快，也沒有所謂的巨頭一馬當先，市場呈現(xiàn)的是一片火熱，據(jù)報道稱因特爾可能推遲了10納米CPU的發(fā)布，但此次三星的10納米級別動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)芯片已準備就緒，率先奪的一城。

      目前三星公司正利用這一技術批量生產第一代8GB的DDR4芯片，領先于競爭者SK海力士(Hynix)和美光 (Micron)。它將于今年生產SIMM模塊，從用于筆記本電腦的4GB內存到企業(yè)服務器的128GB內存不等。三星還承諾在“不遠的將來”發(fā)布10納米移動DRAM。去年三星為固態(tài)硬盤以及其它存儲產品發(fā)布了10納米NAND閃存，但將DRAM縮小到這個大小非常困難。這是因為易失性存儲器要求一個與晶體管匹配的電容器，這意味著所有組件必須更小。三星表示，由于必須“將儲存大電荷的非常狹窄的圓柱形電容器堆疊起來放在幾十個納米寬度的晶體管上方”，這導致困難加倍。

      為了實現(xiàn)它，三星改進了它的四重曝光(quadruple patterningtechnology)技術(最初用于它的Nand flash存儲器)，使用了多重光刻曝光來增加芯片特征的分辨率。結果產生了比三星上一代20納米RAM快30%、能量效率提升20%的芯片。這款RAM很可能先應用于筆記本，但PC機制造商應該在今年年底前購買到基于這一技術的模塊。

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